Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
Статья

On the origin of threading dislocations during epitaxial growth of III-Sb on Si(001): A comprehensive transmission electron tomography and microscopy study

Michael NiehlePaul-Drude-Institut für Festkörperphysik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, GermanyJean‐Baptiste RodriguezCNRS, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, FranceL. CeruttiCNRS, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, FranceE. TourniéCNRS, IES, UMR 5214, F-34000 Montpellier, FranceA. TrampertPaul-Drude-Institut für Festkörperphysik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany
2017en
ABI

Аннотация

Аннотация отсутствует.

Идентификаторы

Цитирования и источники

Цитирований: 2Использованных источников: 0