Free exciton luminescence in 3C, 4H, 6H, and 15R SiC

Exciton bandgaps, phonon energies, and free exciton binding energies of 3C, 4H, 6H, and 15R SiC are obtained from measurements of the free (and bound) exciton luminescence within the temperature range 4.2 to about 100 K. The values might be used to characterize polytypes of SiC. Exzitonen-Bandgaps, Phononenenergien und Bindungsenergien freier Exzitonen von 3C, 4H, 6H und 15 R SiC werden aus Lumineszenz-Messungen freier (und gebundener) Exzitonen im Temperaturbereich 4,2 bis etwa 100 K bestimmt. Die Werte können zur Charakterisierung der Polytypen von SiC benutzt werden.

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