Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Free exciton luminescence in 3C, 4H, 6H, and 15R SiC

1. High Energy Resolution Detectors Based on 4H-SiC

   Alexander M. Ivanov, Evgenia V. Kalinina, G. Kholuyanov +5

   СтатьяParticle Detector Development and PerformanceMaterials science forum2005Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2005.article.000096

2. Temperature Dependence of the Band-Edge Injection Electroluminescence of 4H-SiC pn Structure

   Anatoly M. Strel’chuk, Evgenia V. Kalinina, A. А. Lebedev

   СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesMaterials science forum2013Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2013.article.000107