← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 4
Работа: Synthesis and properties of Ge-(Ge2)1−x(GaAs)x (0≤x≤1.0) epitaxial heterostructures grown by LPE from lead-based solution melts
Preparation of nonequilibrium solid solutions of (GaAs)1−<i>x</i>Si<i>x</i>
A. J. Noreika, M. H. Francombe
Статья1974Цитирований: 3ABI