Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: Growth and photoelectric properties of graded-gap Si-(Si2)1−x(GaP)x heterostructures

1. Heterojunctions and Metal Semiconductor Junctions

   Книга1972Цитирований: 14

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.215219

2. Semiconductor Heterojunctions

   Книга1974Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.419528

3. n-n Semiconductor heterojunctions

   W.G. Oldham, A. G. Milnes

   Статья1963Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.616689

4. The Epitaxy of ZnSe on Ge, GaAs, and ZnSe by an HCl Close-Spaced Transport Process

   H.J. Hovel, A. G. Milnes

   Статья1969Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.616690

5. Preparation of Ge/Si and Ge∕GaAs Heterojunctions

   A. R. Riben, D.L. Feucht, W.G. Oldham

   Статья1966Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.616691