Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

Работа: Low-temperature photoluminescence of heavy-ion-implanted InGaP solid solutions

1. Effect of Low-Energy Implantation of In+ Ions on the Composition and Electronic Structure of Single-Crystal GaP(111)

   S. B. Donaev, Ganjimurod Shirinov, Б. Е. Умирзаков +2

   СтатьяIon-surface interactions and analysisCoatings2024Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.002442