← Назад к работе
Работы, на которые ссылается эта работа
Работ: 9
Работа: The contribution of gate and drain voltages to temperature distribution along the channel in 2D MoS<sub>2</sub> based MOSFET
Electronics based on two-dimensional materials
Gianluca Fiori, Francesco Bonaccorso, Giuseppe Iannaccone +5
Статья2014Цитирований: 2ABISimulation of 50-nm Gate Graphene Nanoribbon Transistors
Cedric Nanmeni Bondja, Zhansong Geng, R. Granzner +2
Статья2016Цитирований: 2ABI