Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 9

Работа: The contribution of gate and drain voltages to temperature distribution along the channel in 2D MoS<sub>2</sub> based MOSFET

  1. Electronics based on two-dimensional materials

    Gianluca Fiori, Francesco Bonaccorso, Giuseppe Iannaccone +5

    Статья2014Цитирований: 2
    ABI
  2. Simulation of 50-nm Gate Graphene Nanoribbon Transistors

    Cedric Nanmeni Bondja, Zhansong Geng, R. Granzner +2

    Статья2016Цитирований: 2
    ABI
  3. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  4. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  5. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  6. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  7. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI
  8. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI