Работы, цитирующие эту работу

Работ: 3

Работа: Some special features of subthreshold radiation effect in silicon

1. Subthreshold defect production in silicon

   Marat S. Yunusov, M. A. Zaikovskaya, Б. Л. Оксенгендлер +1

   СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1976Цитирований: 10

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.364260

2. Interstitial mechanism of the low-temperature gold migration in silicon

   M. A. Kaneev, A. I. Koifman, O. R. Niyazova

   СтатьяSilicon and Solar Cell Technologiesphysica status solidi (a)1973Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1973.article.000018

3. Investigation of the effect of large doses on the Si(Li) detector parameters

   A. I. Koifman, Р. А. Муминов, A.Ya. Yafasov

   СтатьяRadiation Detection and Scintillator Technologiesphysica status solidi (a)1982Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1982.article.000068