Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: Simulation of DIBL effect in junctionless SOI MOSFETs with extended gate

1. Multigate transistors as the future of classical metal–oxide–semiconductor field-effect transistors

   Isabelle Ferain, Cynthia A. Colinge, Jean-Pierre Colinge

   Статья2011Цитирований: 11

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386765

2. Short-channel effects in SOI MOSFETs

   S. Veeraraghavan, J.G. Fossum

   Статья1989Цитирований: 7

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.390677

3. Influence of device geometry on electrical characteristics of a 10.7 nm SOI-FinFET

   A.E. Abdikarimov, Guillermo Indalecio, Enrique Comesaña +4

   СтатьяAdvancements in Semiconductor Devices and Circuit Design2014Цитирований: 4

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.386764

4. Performance estimation of junctionless multigate transistors

   Chi‐Woo Lee, Isabelle Ferain, Aryan Afzalian +4

   Статья2009Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.428824

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.572479