Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 20

Работа: Electron eigenvalues in quantum well of AlAs/InxGa1−xAs/AlAs heterostructures with InAs nanoinserts

  1. Band nonparabolicity effects in semiconductor quantum wells

    D. F. Nelson, Robert C. Miller, D. A. Kleinman

    Статья1987Цитирований: 9
    ABI

  2. Electronic States in Semiconductor Heterostructures

    G. Bastard, J. A. Brum, R. Ferreira

    Глава1991Цитирований: 5
    ABI

  3. Electron mobility and drift velocity in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures

    И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, E. A. Klimov +7

    Статья2011Цитирований: 2
    ABI

  4. InAs inserted InGaAs buried channel metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors with atomic-layer-deposited gate dielectric

    Fei Xue, Han Zhao, Yen‐Ting Chen +3

    Статья2011Цитирований: 2
    ABI

  5. Structural and electrical properties of quantum wells with nanoscale InAs inserts in In y Al1 − y As/In x Ga1 − x As heterostructures on InP substrates

    А. Л. Васильев, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев +6

    Статья2011Цитирований: 2
    ABI

  6. Submicron Gate-Fitted Superconducting Junction Using a Two-Dimensional Electron Gas

    Hideaki Takayanagi, Tatsushi Akazaki

    Статья1995Цитирований: 2
    ABI

  7. Specific features of the photoluminescence of HEMT nanoheterostructures containing a composite InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs quantum well

    Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, E. A. Klimov +4

    Статья2015Цитирований: 2
    ABI

  8. Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts

    Д. С. Пономарев, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев +4

    Статья2012Цитирований: 2
    ABI

  9. Analysis of nanometer-scale InGaAs/InAs/InGaAs composite channel MOSFETs using high-K dielectrics for high speed applications

    J. Ajayan, D. Nirmal, P. Prajoon +1

    Статья2017Цитирований: 2
    ABI

  10. Enhanced room-temperature 3.5 µm photoluminescence in stress-balanced metamorphic In(Sb,As)/In(Ga,Al)As/GaAs quantum wells

    M. Yu. Chernov, Victor A. Solov’ev, O. S. Komkov +6

    Статья2017Цитирований: 2
    ABI

  11. Metamorphic InAs(Sb)/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures grown on GaAs for efficient mid-IR emitters

    S. V. Ivanov, M. Yu. Chernov, В. А. Соловьев +3

    Статья2018Цитирований: 2
    ABI

  12. Performance Analysis of InP based Composite Channel e-mode HEMT Device for High Frequency Applications

    Murali Krishna, M M Rahool, K. Dinesh Kumar +2

    Статья2021Цитирований: 2
    ABI

  13. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  14. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  15. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  16. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  17. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  18. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  19. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI

  20. Без названия

    ДругоеЦитирований: 1
    ABI