Спектральная зависимость фотопроводимости варизонных структур типа Ge-=SUB=-x-=/SUB=-Si-=SUB=-1-x-=/SUB=-, полученных диффузионной технологией
Аннотация
Путем диффузионного легирования кремния германием была получена варизонная структура типа Ge x Si 1-x . Элементный анализ поверхности образцов показал, что концентрация кремния (в атомных процентах) составляла 64.5%, германия --- 26.9%, кислорода --- 5.9%, других элементов --- 2.7%. На спектральной зависимости фотопроводимости заметный рост фототока начинается при hν=0.75-0.8 эВ, что примерно соответствует ширине запрещенной зоны материала Ge 0.27 Si 0.73 . Разработка диффузионной технологии получения варизонных структур Gе x Si 1-x позволит разработать фотоприемники с расширенной областью спектральной чувствительности. Ключевые слова: варизонная структура, диффузия, фотопроводимость, кремний, германий.