Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Спектральная зависимость фотопроводимости варизонных структур типа Ge-=SUB=-x-=/SUB=-Si-=SUB=-1-x-=/SUB=-, полученных диффузионной технологией

1. Composition of Silicon Alloyed with Gallium and Phosphorus Atoms

   Н. Ф. Зикриллаев, S. Koveshnikov, X. S. Turekeev +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesJournal of Surface Investigation X-ray Synchrotron and Neutron Techniques2024Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.002944

2. Composition of silicon jointly doped with impurity atoms of gallium and phosphorus

   Н. Ф. Зикриллаев, S. Koveshnikov, X. S. Turekeev +1

   СтатьяSilicon and Solar Cell TechnologiesПоверхность Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования2024Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.007427