Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы
← Назад к работе

Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

  1. SiC plasma characterization produced by 3 ns pulse laser at 10 <sup>10</sup> W/cm <sup>2</sup> intensity

    L. Torrisi, A. Torrisi, M. Cutroneo

    СтатьяSilicon Carbide Semiconductor TechnologiesRadiation effects and defects in solids2024Цитирований: 0
    ABI