Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 7

Работа: Electronic density of states at the interface between silicon and lead borosilicate glass

1. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1117

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.000713

2. Interface states at the SiO2-Si interface

   M. Schulz

   Статья1983Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.605266

3. Analog Integrated Circuit Design

   Глава2011Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.557530

4. Inversion charge redistribution model of the high-frequency MOS capacitance

   ARNOLD T. BERMAN, D. R. Kerr

   Статья1974Цитирований: 2

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.605268

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.605264

6. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.605265

7. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.605267