Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Ion-based growth of special films: Techniques and mechanisms

1. Transition layer formation simulation during film deposition by an ion-molecular beam

   T.S. Pugacheva

   СтатьяIon-surface interactions and analysisRadiation Effects1987Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.503216

2. Ion bombardment effect on Si homoepitaxial growth from ion molecular beams

   T.S. Pugacheva, М. С. Саидов, A. S. Lutovich

   СтатьяIon-surface interactions and analysisRadiation Effects1987Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1987.article.000061