Работы, на которые ссылается эта работа

Работ: 5

Работа: The Mechanism of Silicon Epitaxial Layer Growth from Ion-Molecular Beams

1. Epitaxial growth of silicon assisted by ion implantation

   Tadatsugu Itoh, Tohru Nakamura

   Статья1971Цитирований: 3

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.647999

2. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.647998

3. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.648000

4. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.648001

5. Без названия

   ДругоеЦитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2026.other.648002