Работы, цитирующие эту работу

Работ: 2

Работа: Epitaxial growth of Si on (1012) Al2O3 by partially ionized vapor deposition

1. Ion bombardment effect on Si homoepitaxial growth from ion molecular beams

   T.S. Pugacheva, М. С. Саидов, A. S. Lutovich

   СтатьяIon-surface interactions and analysisRadiation Effects1987Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1987.article.000061

2. “Radiation Sieve” Effect during Epitaxy from Low Energy Ion-Molecular Flow

   A. Budrevich, A. Lyutovich, Б. Л. Оксенгендлер

   СтатьяGeological and Geochemical Analysisphysica status solidi (a)1989Цитирований: 1

   ABIABI:AkademIndex/openalex/1989.article.000071