Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Effect of the Ge content on the Schottky barrier height in structures based on Si1 − x Ge x solid solution

   N. A. Matchanov

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesTechnical Physics2008Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2008.article.000326