Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. ABOUT THE SILICON SENSITIVITY OF THE DEEP LEVEL WITH ALTERNATING PRESSURE

   I. G. Tursunov, Abdurahim Okhunov, О. О. Маматкаримов

   СтатьяAdvanced Materials and Semiconductor TechnologiesIIUM Engineering Journal2018Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2018.article.000922