Перейти к основному содержанию
AkademIndex

Продукты

Для разработчиков

AkademBaseОткрытый API экосистемы

I. G. Tursunov

Работ: 13

National University of Uzbekistan

  1. Influence of Deep-Level Impurities on the Strain Electric Properties of Monocrystalline Silicon

    С. З. Зайнабидинов, О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов +1

    СтатьяSilicon Nanostructures and PhotoluminescenceUkrainian Journal of Physics2017Цитирований: 4
    ABI

  2. Influence of Isotropic Pressure on the Current–Voltage Characteristics of Surface-Barrier Diodes Sb–p-Si〈Mn〉–Au

    С. З. Зайнабидинов, I. G. Tursunov, О. Химматкулов

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2018Цитирований: 2
    ABI

  3. Effect of Uniaxial Elastic Deformation on the Current–Voltage Characteristic of Surface-Barrier Sb–p-Si〈Mn〉–Au Diodes

    О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов, I. G. Tursunov

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2020Цитирований: 2
    ABI

  4. Dynamic Strain Conductivity of Compensated Silicon

    С. З. Зайнабидинов, О. О. Маматкаримов, I. G. Tursunov +1

    СтатьяElectromagnetic Effects on MaterialsModern Physics Letters B1998Цитирований: 1
    ABI

  5. Investigation of the influence of external effects on the behavior of gold impurity in silicon

    С. З. Зайнабидинов, О. О. Маматкаримов, I. G. Tursunov +1

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesSemiconductors2000Цитирований: 1
    ABI

  6. Investigations of the Deep-Level Parameters in Semiconductors

    I. G. Tursunov

    СтатьяElectromagnetic Effects on MaterialsUkrainian Journal of Physics2017Цитирований: 1
    ABI

  7. Dynamic tensor sensitivity of Si samples

    S.Z. Zajnabidinov, Azizbek Abduraimov, O.O. Mamankarimov +3

    СтатьяForce Microscopy Techniques and Applications1995Цитирований: 0
    ABI

  8. The influence of the profile of impurity distribution on the parameters of varactors subjected to full hydrostatic compression

    I. G. Tursunov, B.H. Kuchkarov

    СтатьяElectromagnetic Launch and Propulsion TechnologyUzbekiston Fizika Zhurnali2016Цитирований: 0
    ABI

  9. ABOUT THE SILICON SENSITIVITY OF THE DEEP LEVEL WITH ALTERNATING PRESSURE

    I. G. Tursunov, Abdurahim Okhunov, О. О. Маматкаримов

    СтатьяAdvanced Materials and Semiconductor TechnologiesIIUM Engineering Journal2018Цитирований: 0
    ABI

  10. Влияние одноосной упругой деформации на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов Sb-p-Si<Mn>-Au

    О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов, I. G. Tursunov

    СтатьяSemiconductor materials and interfacesФизика и техника полупроводников2020Цитирований: 0
    ABI

  11. Tensostimulated Effect in a Doped and Heat-Treated Silicon at an Oriented Deformation

    О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов, I. G. Tursunov

    СтатьяAdvanced Materials and Semiconductor TechnologiesPhysics of the Solid State2021Цитирований: 0
    ABI

  12. INVESTIGATION OF THE WIDTH OF THE FORBIDDEN ZONEHEAVILY DOPED SEMICONDUCTORS

    I. G. Tursunov, M. A. Rakhmanov

    СтатьяAdvancements in Semiconductor Devices and Circuit DesignThe American Journal of Interdisciplinary Innovations and Research2024Цитирований: 0
    ABI

  13. EFFECT OF TEMPERATURE ON THE STRAIN SENSITIVITY OF MANGANESE-COMPENSATED SILICON

    I. G. Tursunov, M. A. Rakhmanov

    СтатьяAdvanced MEMS and NEMS TechnologiesAmerican Journal Of Applied Science And Technology2024Цитирований: 0
    ABI