Работы, цитирующие эту работу

Работ: 1

1. Pressure as the device for changing electric parameters of Schottky diodes based on Si mono crystal

   T. Z. Nasirov, Akmal Turayev, M.A. Muydinova +1

   СтатьяSemiconductor materials and interfacesE3S Web of Conferences2023Цитирований: 0

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2023.article.012035