Работы, цитирующие эту работу
Работ: 2
Работа: Superlinear Photogalvanic Effects in (<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" overflow="scroll"><mml:msub><mml:mi>Bi</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>0.3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mi>Sb</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>0.7</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mo stretchy="false">)</mml:mo><mml:mn>2</mml:mn></mml:msub></mml:math>(<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline" overflow="scroll"><mml:msub><mml:mi>Te</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>0.1</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mi>Se</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>0.9</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mo stretchy="false">)</mml:mo><mml:mn>3</mml:mn></mml:msub></mml:math>: Probing Three-Dimensional Topological Insulator Surface States at Room Temperature
On the Theory of the Intraband Mechanism of Single-Photon Absorption in Semiconductors, Taking into Account the Effect of Coherent Saturation
Rustam Yavkachovich Rasulov, Voxob Rustamovich Rasulov, Forrukh U. Kasimov +2
СтатьяSemiconductor Quantum Structures and DevicesEast European Journal of Physics2025Цитирований: 0ABI