Temperature-dependent conversion electron Mössbauer measurements of57Fe implanted in silicon and germanium

Conversion electron Mössbauer spectra of 3 at% Fe implanted in silicon and germanium are measured at temperatures between 78 and 550 K. Helium counters of electrons are used in back-scattering geometry. The results indicate a temperature-independent s-electron density at the iron nuclei. A rather small temperature dependence of the electric field gradient is observed and is interpreted in terms of the T3/2-relationship. The possible location of iron implanted in amorphous silicon and germanium is discussed. Es werden die Elektronenkonversions-Mößbauerspektren von 3 At% Fe, das in Silizium und Germanium implantiert wurde, bei Temperaturen zwischen 78 und 550 K gemessen. Heliumelektronenzähler werden in Rückstreugeometrie benutzt. Die Ergebnisse zeigen eine temperaturunabhängige s-Elektronendichte am Eisenkern. Eine ziemlich kleine Temperaturabhängigkeit des elektrischen Feldgradienten wird beobachtet und mit der T3/2-Beziehung interpretiert. Die mögliche Lokalisierung des implantierten Eisens in amorphem Silizium und Germanium wird diskutiert.

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