Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

4 та иш

Иш: Investigation of crystal structure of cubic silicon carbide layers

  1. ‘‘Buffer-layer’’ technique for the growth of single crystal SiC on Si

    Arrigo Addamiano, J.A. Sprague

    Мақола19842 иқтибос
    ABI
  2. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  3. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI