Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
Мақола

Radiation phenomena in silicon doped with deep level impurities

Marat S. YunusovAN RU, Tashkent (Uzbekistan). Inst. Yadernoj Fiziki
1995en
ABI

Аннотация

Аннотация мавжуд эмас.

Мавзулар

Иқтибослар ва манбалар

0 та иқтибос0 та фойдаланилган манба
Кўрсаткичлар — AkademScholar · Тез орада