Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseтез орадаЭкотизим учун очиқ API
Лотин
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

16 та иш

Иш: Effect of the band-tail states on the exciton peaks in GaN epilayers grown on sapphire substrates

  1. Сарлавҳасиз

    Бошқа19 иқтибос
    ABI

  2. High-Brightness InGaN Blue, Green and Yellow Light-Emitting Diodes with Quantum Well Structures

    Shuji Nakamura, Masayuki Senoh, Naruhito Iwasa +1

    Мақола19953 иқтибос
    ABI

  3. Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1−AlN (0 < x ≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE

    Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Yasuo Koide +2

    Мақола19892 иқтибос
    ABI

  4. GaN, AlN, and InN: A review

    S. Strite, H. Morkoç

    Шарҳ мақола19922 иқтибос
    ABI

  5. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  15. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  16. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI