Modification of the physical and chemical properties of GaAs/Ge surface epitaxy films by ion implantation
Д. А. ТашмухамедоваTashkent State Technical University, Universitetskaja 2, 700095 Tashkent, UzbekistanБ. Е. УмирзаковTashkent State Technical University, Universitetskaja 2, 700095 Tashkent, Uzbekistan
ABI
Аннотация
Аннотация мавжуд эмас.
Мавзулар
Идентификаторлар
Иқтибослар ва манбалар
0 та иқтибос2 та фойдаланилган манба
Кўрсаткичлар — AkademScholar · Тез орада