Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

10 та иш

Иш: Electrical Study of Fast Neutron Irradiated Devices Based on 4H-SiC CVD Epitaxial Layers

  1. Deep Defect Centers in Silicon Carbide Monitored with Deep Level Transient Spectroscopy

    T. Dalibor, Gerhard Pensl, H. Matsunami +4

    Мақола19975 иқтибос
    ABI

  2. High-dose Al-implanted 4H-SiC p+-n-n+ junctions

    E. V. Kalinina, G. Kholujanov, В. Н. Соловьев +11

    Мақола20004 иқтибос
    ABI

  3. Effect of irradiation with fast neutrons on electrical characteristics of devices based on CVD 4H-SiC epitaxial layers

    E. V. Kalinina, G. Kholuyanov, D. V. Davydov +5

    Мақола20033 иқтибос
    ABI

  4. Defects in neutron irradiated SiC

    V. Nagesh, J. W. Farmer, R. F. Davis +1

    Мақола19872 иқтибос
    ABI

  5. Structural, electrical, and optical properties of low-doped 4H–SiC chemical vapor deposited epitaxial layers

    E. V. Kalinina, G. Kholujanov, A. S. Zubrilov +13

    Мақола20012 иқтибос
    ABI

  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI