Positron probing of gamma-irradiated Ge doped with P, As, Sb, and Bi: Changes in atomic structures of defects due to n→p conversion
N.Yu. ArutyunovInstitute of Electronics, UAS, 700170 Tashkent, UzbekistanV. V. EmtsevIoffe Physicotechnical Institute, RAS, 194021 St. Petersburg, Russia
ABI
Аннотация
Аннотация мавжуд эмас.
Мавзулар
Идентификаторлар
Иқтибослар ва манбалар
0 та иқтибос12 та фойдаланилган манба