Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

36 та иш

Иш: Physical Processes during the Formation of Silicon-Lithium p-i-n Structures Using Double-Sided Diffusion and Drift Methods

  1. STAR detector overview

    K. Ackermann, N. R. Adams, C. Adler +97

    Мақола200324 иқтибос
    ABI
  2. Fabrication of low-cost, large-area prototype Si(Li) detectors for the GAPS experiment

    K. Perez, T. Aramaki, Charles J. Hailey +14

    Мақола20184 иқтибос
    ABI
  3. Ion Drift in an <i>n-p</i> Junction

    E. M. Pell

    Мақола19603 иқтибос
    ABI
  4. The theory of compensation in lithium drifted semiconductor detectors

    Alexander Lauber

    Мақола19692 иқтибос
    ABI
  5. Large-area Si(Li) detectors for X-ray spectrometry and particle tracking in the GAPS experiment

    F. Rogers, Mengjiao Xiao, K. Perez +14

    Мақола20192 иқтибос
    ABI
  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI
  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  15. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  16. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  17. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  18. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  19. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI