Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

19 та иш

Иш: Formation of Complexes of Phosphorus and Boron Impurity Atoms in Silicon

  1. Cascade Solar Cells Based on GaP/Si/Ge Nanoheterostructures

    Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко +3

    Мақола20193 иқтибос
    ABI
  2. Diffusion in Silicon - 10 Years of Research

    David J. Fisher

    Китоб19973 иқтибос
    ABI
  3. Minority-charge-carrier mobility at low injection level in semiconductors

    L. I. Pomortseva

    Мақола20112 иқтибос
    ABI
  4. Diffusion of phosphorus in arsenic and boron doped silicon

    Fred Wittel, Scott T. Dunham

    Мақола19952 иқтибос
    ABI
  5. Redistribution of phosphorus implanted into silicon doped heavily with boron

    E. G. Tishkovskiǐ, V.I. Obodnikov, A. A. Taskin +2

    Мақола20002 иқтибос
    ABI
  6. Diffusion of boron and phosphorus in silicon during high-temperature ion implantation

    G. V. Gadiyak

    Мақола19972 иқтибос
    ABI
  7. Solar photovoltaics: current state and trends

    Valentin A. Milichko, Aleksandr S. Shalin, Ivan S. Mukhin +5

    Мақола20162 иқтибос
    ABI
  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI