Сравнительное исследование фотоэлементов на основе кремния, легированного никелем различными методами
К.А. ИсмайловКаракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, УзбекистанН.Ф. ЗикриллаевТашкентский государственный технический университет, Ташкент, УзбекистанС.В. КовешниковТашкентский государственный технический университет, Ташкент, УзбекистанЕ.Ж. КосбергеновКаракалпакский государственный университет им. Бердаха, Нукус, Узбекистан
ABI
Аннотация
In this work, the parameters of silicon-based photocells doped with impurity nickel atoms by diffusion methods and during growth were compared. It was found that photocells doped with impurity nickel atoms during silicon growth have an improvement in parameters comparable to that obtained by the diffusion doping method. Additional heat treatment at T = 800 °C makes it possible to significantly improve their basic parameters.
Ҳали таржима қилинмаган
Мавзулар
Идентификаторлар
Иқтибослар ва манбалар
1 та иқтибос0 та фойдаланилган манба