DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY OF DEFECTS IN SILICON MULTILAYER STRUCTURES DOPED WITH HAFNIUM ATOMS
Shakhrukh Kh. DalievNational University of UzbekistanJavokhir A. ErgashevResearch Institute of semiconductor physics and microelectronics
ABI
Аннотация
Аннотация мавжуд эмас.
Мавзулар
Идентификаторлар
Иқтибослар ва манбалар
0 та иқтибос0 та фойдаланилган манба