Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

14 та иш

Иш: Development and investigation of the electrophysical and spectrometric characteristics of a <i>p</i> -Si/ <i>n</i> -InP heterostructure radiation detector

  1. Сарлавҳасиз

    Бошқа19 иқтибос
    ABI

  2. Silicon radiation detectors (Review)

    Yu.K. Akimov

    Мақола20075 иқтибос
    ABI

  3. Development of a Large-Sized Highly Sensitive Detector Based on α-Si–p-i-n Heterostructures for Radonometers

    Р. А. Муминов, S. A. Radzhapov, F. G. Mullagalieva +2

    МақолаAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsAtomic Energy20224 иқтибос
    ABI

  4. Compound semiconductor radiation detectors

    Alan Owens, A. Peacock

    Мақола20042 иқтибос
    ABI

  5. Radiation Damage by Heavy Ions in Silicon and Silicon Carbide Detectors

    C. Altana, L. Calcagno, C. Ciampi +8

    Мақола20232 иқтибос
    ABI

  6. The development of semiconductor detectors for radiometers of alpha-radiation and the examination of the volumetric activity of radon in various areas

    B. S. Radzhapov, S. A. Radzhapov, F. G. Mullagalieva +1

    МақолаAdvanced Semiconductor Detectors and MaterialsRadiation Detection Technology and Methods20231 иқтибос
    ABI

  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI