Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Хизматлар

← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

52 та иш

Иш: Enhanced Ni/Cu/n-GaN Schottky junctions via Fe2O3:Bi2O3 nanocomposite interfacial engineering

  1. Physics of Semiconductor Devices

    Simon M. Sze, Kwok K. Ng

    Китоб200639 иқтибос
    ABI

  2. A modified forward <i>I</i>-<i>V</i> plot for Schottky diodes with high series resistance

    H. Norde

    Мақола19795 иқтибос
    ABI

  3. Extraction of Schottky diode parameters from forward current-voltage characteristics

    S. K. Cheung, N.W. Cheung

    Мақола19863 иқтибос
    ABI

  4. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  5. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  15. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  16. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  17. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  18. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  19. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  20. Сарлавҳасиз

    Бошқа2 иқтибос
    ABI

  21. Tuning barrier height and enhancing electrical properties of MOS heterojunctions using Fe2O3 doped MoO3 nanocomposite interlayer on Ni/Cr/n-GaN for optoelectronic devices

    Karri Aswini, Chaitanya Kumar Kunapalli, K. Munirathnam +7

    МақолаSemiconductor materials and interfacesPhysica B Condensed Matter20251 иқтибос
    ABI

  22. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  23. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  24. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI

  25. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI