← Ишга қайтиш
Ушбу ишга иқтибос қилган ишлар
4 та иш
Иш: The dependence of the parameters of energy bands on the depth of the ion-doped layer for Si implanted with ions Ba+
Маҳсулотлар
Ишлаб чиқувчилар учун
AkademBaseЭкотизим учун очиқ API4 та иш
Иш: The dependence of the parameters of energy bands on the depth of the ion-doped layer for Si implanted with ions Ba+