Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу ишга иқтибос қилган ишлар

4 та иш

Иш: The dependence of the parameters of energy bands on the depth of the ion-doped layer for Si implanted with ions Ba+