Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

5 та иш

Иш: Growth and photoelectric properties of graded-gap Si-(Si2)1−x(GaP)x heterostructures

  1. Heterojunctions and Metal Semiconductor Junctions

    Китоб197214 иқтибос
    ABI

  2. Semiconductor Heterojunctions

    Китоб19743 иқтибос
    ABI

  3. n-n Semiconductor heterojunctions

    W.G. Oldham, A. G. Milnes

    Мақола19632 иқтибос
    ABI

  4. The Epitaxy of ZnSe on Ge, GaAs, and ZnSe by an HCl Close-Spaced Transport Process

    H.J. Hovel, A. G. Milnes

    Мақола19692 иқтибос
    ABI

  5. Preparation of Ge/Si and Ge∕GaAs Heterojunctions

    A. R. Riben, D.L. Feucht, W.G. Oldham

    Мақола19662 иқтибос
    ABI