Ушбу ишга иқтибос қилган ишлар

2 та иш

Иш: Оптимальные условия легирования никелем для повышения эффективности кремниевых фотоэлементов

1. The High-temperature analysis of silicon properties with manganese-oxygen binary complexes

   M. O. Tursunov, Khalmurat Iliev, B. K. Ismaylov

   МақолаSemiconductor materials and interfacesPhysical Sciences and Technology20243 иқтибос

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2024.article.001804

2. Improving the efficiency of an industrial silicon solar cell by doping with nickel

   M. K. Bakhadirkhanov, Z. T. Kenzhaev, B. K. Ismaylov +3

   МақолаChalcogenide Semiconductor Thin FilmsJournal of the Belarusian State University Physics20210 иқтибос

   ABIABI:AkademIndex/openalex/2021.article.009611