Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

9 та иш

Иш: The contribution of gate and drain voltages to temperature distribution along the channel in 2D MoS<sub>2</sub> based MOSFET

  1. Electronics based on two-dimensional materials

    Gianluca Fiori, Francesco Bonaccorso, Giuseppe Iannaccone +5

    Мақола20142 иқтибос
    ABI
  2. Simulation of 50-nm Gate Graphene Nanoribbon Transistors

    Cedric Nanmeni Bondja, Zhansong Geng, R. Granzner +2

    Мақола20162 иқтибос
    ABI
  3. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  4. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  5. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  6. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  7. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI