A propagation concept of negative bias temperature instability along the channel length in p-type metal oxide field effect transistor
Boualem DjezzarMicroelectronics and Nanotechnology Division, Centre de Développement des Technologies Avancées (CDTA), 20 Août 1956, Baba Hassen BP 17, Algiers 16303, AlgeriaHakim TahiMicroelectronics and Nanotechnology Division, Centre de Développement des Technologies Avancées (CDTA), 20 Août 1956, Baba Hassen BP 17, Algiers 16303, AlgeriaAbdelmadjid BenabdelmoumeneMicroelectronics and Nanotechnology Division, Centre de Développement des Technologies Avancées (CDTA), 20 Août 1956, Baba Hassen BP 17, Algiers 16303, AlgeriaAmel ChenoufMicroelectronics and Nanotechnology Division, Centre de Développement des Technologies Avancées (CDTA), 20 Août 1956, Baba Hassen BP 17, Algiers 16303, Algeria
2013en
ABI
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