Асосий контентга ўтиш
AkademIndex

Маҳсулотлар

Ишлаб чиқувчилар учун

AkademBaseЭкотизим учун очиқ API
← Ишга қайтиш

Ушбу иш иқтибос қилган ишлар

30 та иш

Иш: Contribution to the Physical Modelling of Single Charged Defects Causing the Random Telegraph Noise in Junctionless FinFET

  1. Scaling of Trigate Junctionless Nanowire MOSFET With Gate Length Down to 13 nm

    Sylvain Barraud, Matthieu Berthomé, R. Coquand +7

    Мақола20126 иқтибос
    ABI
  2. Quantum corrections in the simulation of decanano MOSFETs

    Asen Asenov, A. R. Brown, J.R. Watling

    Мақола20034 иқтибос
    ABI
  3. Large random telegraph noise in sub-threshold operation of nano-scale nMOSFETs

    J. P. Campbell, Lihua Yu, Kin P. Cheung +4

    Мақола20093 иқтибос
    ABI
  4. Performance estimation of junctionless multigate transistors

    Chi‐Woo Lee, Isabelle Ferain, Aryan Afzalian +4

    Мақола20093 иқтибос
    ABI
  5. RTN distribution comparison for bulk, FDSOI and FinFETs devices

    Louis Gerrer, Salvatore Amoroso, Razaidi Hussin +1

    Мақола20143 иқтибос
    ABI
  6. Cascade Capture of Electrons in Solids

    M. Lax

    Мақола19602 иқтибос
    ABI
  7. Semiconductor Surface Physics

    Robert H. Kingston

    Китоб19572 иқтибос
    ABI
  8. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  9. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  10. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  11. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  12. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  13. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  14. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  15. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  16. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  17. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  18. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  19. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  20. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI
  21. Сарлавҳасиз

    Бошқа1 иқтибос
    ABI