Determination of deep trap levels in silicon using ion-implantation and CV-measurements
Michael SchulzInstitut für Angewandte Festkörperphysik der Fraunhofer Gesellschaft, D-7800, Freiburg i. Br., Fed. Rep. Germany
1974en
ABI
Аннотация
Аннотация мавжуд эмас.
Идентификаторлар
Иқтибослар ва манбалар
2 та иқтибос0 та фойдаланилган манба