Б. Х. Кучкаров

1 ta ish

Namangan Institute of Engineering and Technology

1. Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску

   Odiljon Mamatkarimov, Р. Х. Хамидов, Р. Г. Жабборов +2

   Maqola20120 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/2012.article.000653