Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску
Odiljon MamatkarimovНаманганский инженерно-технологический институт УзбекистанР. Х. ХамидовНаманганский инженерно-технологический институт УзбекистанР. Г. ЖабборовНаманганский инженерно-технологический институт УзбекистанУ. А. ТуйчиевНаманганский инженерно-технологический институт УзбекистанБ. Х. КучкаровНаманганский инженерно-технологический институт Узбекистан
2012uk
Ochiq kirish: yoʻq
ABI
Annotatsiya
In this article have been investigated changes in the concentration and mobility of charge carriers in the samples of n and p type of nickel doped silicon under pulse hydrostatic pressure and with change of temperature by electrical heater integrated to the samples. Has been shown, that the dynamic strain effect of these samples due to 50% of the temperature and 50% of the vibration effects of the crystal lattice of nickel doped silicon.
Hali tarjima qilinmagan
Iqtiboslar va manbalar
0 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba