А. Юсупов

1 ta ish

Tashkent University of Information Technology

1. Влияние формы плавника и толщины скрытого оксидного слоя на DIBL-эффект в FinFET-транзисторе, изготовленном по технологии "кремний на изоляторе"

   А.Э. Абдикаримов, А. Юсупов, А.Э. Атамуратов

   MaqolaOAOchiq kirish20181 iqtibos

   ABIABI:AkademIndex/2026.other.1112798