Asosiy kontentga oʻtish
Maqola

The investigation of charge carriers life time dependence on degree of silicon doping with admixtures creating the deep levels

Sh. MakhkamovN.A. TursunovM. AshurovAN RU, Tashkent (Uzbekistan). Inst. Yadernoj Fiziki
1995en

Ochiq kirish: yoʻq

ABI

Annotatsiya

Annotatsiya mavjud emas.

Mavzular

Iqtiboslar va manbalar

0 ta iqtibos0 ta foydalanilgan manba