Asosiy kontentga oʻtish
← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

8 ta ish

Ish: Dependence of the divacancy concentration on the germanium content in p-Si1 − x Ge x (0 < x < 0.10) alloys irradiated with 5-MeV electrons

  1. Impurities and point defects in semiconductors

    V. V. Emtsev, T.V. Mashovets

    Maqola19818 iqtibos
    ABI
  2. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  3. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  4. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI
  5. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI