Состав и электронная структура скрытых наноразмерных фаз и слоев BaSi-=SUB=-2-=/SUB=-, созданных в приповерхностной области Si

Впервые методом имплантации ионов Ва+ с энергией E0=20-30 кэВ в приповерхностном слое Si(111) получены наноразмерные фазы и слои BaSi2. В частности, показано, что при дозе D~ 1015 см-2 формируются нанофазы с шириной запрещенной зоны Eg~0.85 эВ, а при D~1017 см-2 нанослой BaSi2 с Eg=0.67 эВ. Состав и структура наноструктуры дисилицида бария были исследованы спектроскопией поглощения света методами электронной оже-спектроскопии, а рентгеновская морфология поверхности изучалась методом растровой электронной микроскопии. Установлены оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для получения наноразмерных фаз и слоев BaSi2 в приповерхностной области Si. С использованием метода спектроскопии поглощения света оценены ширина запрещенных зон и степень покрытия слоя нанофазами BaSi2. Показано, что при дозе D≥ 6·1016 см-2 формируется нанослой BaSi2. Ключевые слова: ионная имплантация, наноструктура, нанофаза, отжиг, дисилицид бария, оже-электроны, степень покрытия.

Hali tarjima qilinmagan