Asosiy kontentga oʻtish
AkademIndex

Xizmatlar

← Ishga qaytish

Ushbu ish iqtibos qilgan ishlar

11 ta ish

Ish: Temperature Dependences of the Sputtering of Negative Silicon Cluster Ions

  1. Secondary-ion emission probability in sputtering

    Jens K. Nørskov, Bengt I. Lundqvist

    Maqola19797 iqtibos
    ABI

  2. Clusters sputtered from tungsten

    G. Staudenmaier

    Maqola19726 iqtibos
    ABI

  3. A model calculation of the neutral molecule emission by sputtering processes

    W. Gerhard

    Maqola19754 iqtibos
    ABI

  4. On the mechanism of cluster emission in sputtering

    K. Wittmaack

    Maqola19794 iqtibos
    ABI

  5. Surface investigation of solids by the statical method of secondary ion mass spectroscopy (SIMS)

    A. Benninghoven

    Maqola19733 iqtibos
    ABI

  6. Emission mechanisms of titanium oxide ions during sputtering

    Ming L. Yu

    Maqola19813 iqtibos
    ABI

  7. Secondary ion yield variations due to cesium implantation in silicon

    K. Wittmaack

    Maqola19833 iqtibos
    ABI

  8. Энергетический порог атомарного и кластерного распыления некоторых элементов при бомбардировке ионами Cs, Rb, Na

    Р. Джаббарганов, Б. Г. Атабаев, З. А. Исаханов +1

    Maqola20193 iqtibos
    ABI

  9. Энергетическая и температурная зависимость вторичной ионной эмиссии кластеров GaN/SiC при бомбардировке ионами цезия

    Б.Г. Атабаев, Р. Джаббарганов, М. Х. Ахмаджонова +1

    Maqola20213 iqtibos
    ABI

  10. Sarlavhasiz

    Boshqa1 iqtibos
    ABI

  11. On the temperature dependence of sputtered cluster yields

    C Staudt, R. Heinrich, Paul Mazarov +3

    Maqola20001 iqtibos
    ABI