ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОПЛЕНКИ SiO2 НА ПОВЕРХНОСТИ Si ПРИ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

Имплантация низкоэнергетическими ионами в сочетании с отжигом позволяет получать не только однородные сплошные нанопленки SiO2, но и пленки SiO2 с регулярно расположенными фазами нанокристаллического кремния. Независимо от типа окисления между однородной пленкой SiO2 и Si образуется переходный слой толщиной d, в котором концентрация O уменьшается с увеличением глубины d от ~ 65 ¸ 70 ат.% до 0..

Hali tarjima qilinmagan